Применение графита в технологической оснастке, используемой для различных высокотемпературных
химико-технологических процессов, сдерживается из-за создаваемого им примесного
фона, загрязняющего производимую продукцию.
Такие проблемы, например, существуют в производстве полупроводниковых монокристаллов
(арсенида галлия, кремния, германия), монокристаллов лейкосапфира, рубина и
др.
Разработанные нами новые конструкционные материалы на основе графита с защитными
покрытиями помогут в решении этих проблем.
Проведенные промышленные испытания показали, что применение графитового теплового
узла с защитным вольфрамовым покрытием всех его элементов при выращивании из
расплава монокристаллов арсенида галлия (МАГ) позволяет снизить примесный фон
в МАГ (по сравнению с МАГ, выращенным в тепловом узле без покрытия) по углероду,
железу, кобальту, меди, хрому, кремнию примерно в два раза (при этом вольфрам
в виде примеси в МАГ не обнаружен), а также повысить электрофизические характеристики
МАГ и ресурс работы теплового узла.
Возможно нанесение покрытий из W, Mo, Ta, BN и других термостойких материалов на детали самой сложной конфигурации, включая резьбовые соединения, глухие отверстия и т.д.
ТЕXНИЧЕСКИЕ XАРАКТЕРИСТИКИ:
Габаритные размеры покрываемых деталей, мм До 400x400x600
Плотность вольфрама, г/см3 19,2 - 19,25
Суммарное содержание примесей в вольфраме, % вес 10-3 - 10-4
Толщина покрытия, мкм 30 - 100
